[스포츠서울 | 표권향 기자] 삼성전자가 업계 최초로 36GB HBM3E(5세대 HBM) 12H(12단 적층) D램 개발에 성공하고, 고용량 HBM 시장 선점에 나선다고 27일 밝혔다.

삼성전자는 24Gb D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다.

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다.

삼성전자는 ‘Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)’ 기술을 통해 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 조성해 HBM 패키지 규격을 맞췄다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화 할 수 있어 고단 적층 확장에 유리하다.

이로써 NCF 소재 두께를 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩 간 간격인 7um를 구현했다. 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다.

특히 칩과 칩 사이 접합 공정에서 신호 특성이 필요한 곳에는 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞춰 사이즈별로 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다.

삼성전자 관계자는 “NCF로 코팅으로 칩을 접합해 다양한 사이즈의 범프를 동시에 공극 없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력”이라며 “HBM3E 12H는 AI 서비스의 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에서 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업에게 최고의 솔루션이 될 것으로 기대한다”고 말했다.

성능과 용량이 증가한 HBM3E 12H를 사용하면 GPU(그래픽처리장치) 사용량이 줄어 기업의 총소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장·부사장은 “삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다”며 “앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것”이라고 전했다.

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