[스포츠서울 | 표권향 기자] SK하이닉스가 이달 말부터 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품 ‘HBM3E’ 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 지난해 8월 제품 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이며, HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

SK하이닉스 관계자는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다”라며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다”라고 말했다.

많은 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 AI 시스템을 구현하기 위해서는 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결하는 방식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서 AI에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은 AI 반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있다. SK하이닉스 관계자는 “HBM3E가 이를 충족시켜줄 현존 최적의 제품이 될 것”이라며 “HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다”라고 강조했다.

제품은 초당 최대 1.18TB의 데이터를 처리하며, FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

또한 효과적인 발열 제어를 위해 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 후 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라고 업계는 평가했다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정과 비교해 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있다.

류성수 SK하이닉스 HBM Business담당·부사장은 “세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다”며 “그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객 관계를 탄탄히 하면서 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 굳혀 나가겠다”고 전했다. gioia@sportsseoul.com