[스포츠서울 | 위수정 기자] 미국 정부가 삼성전자와 SK하이닉스를 향해 미국 내 메모리 반도체 생산시설 확충을 공개적으로 요구하고 나섰다. 이에 SK그룹 최태원 회장이 미국 내 추가 투자와 메모리 생산공장 건설 가능성을 열어두면서, 자국 중심의 반도체 공급망 구축을 추진하는 트럼프 행정부의 대미 투자 압박이 한층 거세질 것이란 전망이 나온다.

블룸버그통신 등 외신에 따르면, 하워드 러트닉 미국 상무장관은 지난 9일(현지시간) 뉴욕주에서 열린 마이크론 반도체 공장 관련 행사에서 “삼성전자와 SK하이닉스를 미국으로 불러와 메모리 생산시설을 짓게 만들고 싶다”며 “현재 한국 기업들과 관련 논의를 진행 중”이라고 밝혔다.

러트닉 장관은 이어 “마이크론이 앞장서면 경쟁사들도 결국 따라올 수밖에 없을 것”이라며 강한 자신감을 내비쳤다. 그의 발언은 미국 최대 메모리 기업인 마이크론이 2035년까지 자국 내 투자 규모를 기존 2000억 달러에서 2500억 달러(약 375조 원)로 확대하고, 글로벌 D램 생산의 40%를 미국에서 담당하겠다고 선언한 자리에서 나와 그 압박의 수위를 더했다.

미국 정부의 노골적인 자국 우선주의 기조 속에서 최태원 회장은 추가 투자 가능성을 시사했다. 최 회장은 10일(현지시간) SK하이닉스의 미국주식예탁증서(ADR) 나스닥 상장 기념행사 직후 가진 CNBC와의 인터뷰에서 “인디애나주에 짓고 있는 첨단 패키징 시설 외에도 추가 투자를 검토 중”이라고 밝혔다.

특히 그는 “전력과 용수, 인력, 공급망 등 필수 여건이 갖춰진다면 (미국 내) 메모리 생산공장 건설도 가능하다”며 “메모리 공장뿐만 아니라 AI 데이터센터와 관련 기술, 합작법인(JV) 등을 포함해 수백억 달러 규모의 투자가 이뤄질 수 있다”고 덧붙였다.

현재 한국 반도체 양사는 미국 내 대규모 투자를 이미 진행 중이다. SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 약 38억 7000만 달러(약 5조 6000억 원)를 투입해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 첨단 패키징 생산기지를 건설하고 있다. 삼성전자 역시 텍사스주 테일러에 약 370억 달러를 투자해 파운드리(반도체 위탁생산) 단지를 조성 중이며, 내년부터 최첨단 2나노 공정 양산에 돌입한다는 목표다.

다만 반도체 업계에서는 미국 정부가 궁극적으로 노리는 것은 단순 패키징이나 파운드리가 아닌, D램 등 메모리 ‘전공정(Front-end)’ 생산시설의 미국 이전이라고 분석한다.

문제는 전공정 팹(Fab) 건설에 막대한 비용과 인건비가 소요되며 핵심 기술 유출 우려도 크다는 점이다. 더욱이 HBM을 비롯한 첨단 메모리 반도체 기술은 한국의 ‘국가핵심기술’로 지정되어 있어, 이를 해외에서 생산하려면 정부의 승인 등 넘어야 할 규제 장벽이 높다는 딜레마가 존재한다. wsj0114@sportsseoul.com